中國科學院半導體研究所劉乃鑫博士等在《發光學報》發表了題為“紫外光通信用日盲型LED研究進展”的綜述文章，重點介紹了2019年以來報道的UVC Micro-LED研究成果，一起來看！

圖1：倒裝紫外LED結構

引言

Micro-LED也叫μLED，是指台麵尺寸在1~100 μm的LED芯片，相比較傳統深紫外LED芯片，它的電流擴展性好、散熱快、載流子壽命短和RC時間常數小，有利於提升通信帶寬。采用陣列排布後，相比相同發光麵積的傳統深紫外LED光提取效率明顯提升。在可見光通訊（如藍光、綠光）中Micro-LED已被廣泛應用，但是在日盲區紫外光通信中，Micro-LED的工藝仍處於發展階段。對深紫外Micro-LED器件及應用的總結和深入分析對於進一步提高其性能具有重要意義。

紫外光通信用日盲型LED

在日盲區紫外光通信係統中，光源LED的調製帶寬決定了通信信道容量，它的亮度決定了單跳通信的距離。常規的UVC LED的EQE在1%~3%範圍內，發光強度在毫瓦級。在光通信中，常規LED的調製帶寬主要受載流子壽命和RC時間常數共同調控，並且與尺寸強烈相關。

目前，UVC LED的工藝難點在於光提取效率較低，這與P型層和接觸金屬的紫外光吸收，外延層/藍寶石、外延層/空氣界麵的全內反射，以及高Al組分帶來的較難提取的TM模光子的發射增加有關。該現象不利於通信應用。針對這點，光子晶體、襯底背麵粗化等一係列方法被提出。目前使用傳統大尺寸UVC LED通信的最高速率高達2.4 Gb/s，最遠距離可達125 m。

紫外光通信用Micro-LED

Micro-LED可以優化側壁的光提取，並且它的尺寸小，主要受載流子壽命調控的調製帶寬相對較高，因此十分利於光通信的應用。

自2019年，Strathclyde大學首次報道利用262 nm紫外Micro-LED通信陣列實現了1 Gb/s的通信速率以來，對於紫外Micro-LED中的高注入電流密度、波長藍移和半峰寬變窄等物理現象已被大量研究。目前紫外Micro-LED主要研究方向是器件的製備工藝，基本物理現象，及其對通信、顯示方麵應用技術提升三個方麵。

對通信應用，Strcthclyde大學Daniel M. Maclure團隊報道的285 nm波長Micro-LEDs通信陣列芯片分別在10 m和116 m距離上實現了6.5 Gb/s和>1 Gb/s的通信速率，這是目前使用紫外Micro-LED實現的最遠距離和速率。

圖2 （a）用於紫外光通信的Micro-LED陣列的電極部分，（b）Micro-LED芯片部分

紫外光通信的片上集成

紫外光通信的片上集成通常是指將同樣MQWs結構的紫外LED（或者Micro-LED）和紫外探測器（PD）通過耦合波導連接，利用發光-檢測現象進行片上的紫外光通信，實現光互聯的技術。這種技術充分利用了高Al組分MQWs發射的橫向傳播TM模光子。

2022年，中國科學院半導體研究所魏同波團隊報道的274 nm LED和自驅動PD、波導的片上集成，在片上通信實驗中實現600 μm距離1MHz的通信帶寬。自驅動PD表現出127/131 ns的上升/下降響應時間是目前報道的自驅動PD最高性能。

圖3（a）由S1-LED加載的發射信號，由S1-PD捕獲的接收信號，（b）從S1-PD上得到的接收信號擬合得出的上升/下降時間，（c）在1MHz下測量的通信眼圖

總結與展望

目前，市場量產UVC LED的研究方向集中在電光轉化效率（WPED）和光提取效率優化方麵，可量產的芯片的光提取效率從6%~12%向25%提升，WPE由3%向6%提升。量產產品性能提升麵臨的挑戰來自於外延、芯片及封裝領域，包括提升材料質量、優化封裝材料、改善歐姆接觸和降低生產成本等。

目前，部分實驗室製備器件的WPE可達6%~10%，預計2026年可突破15%。將紫外LED和自驅動PD集成有望實現多功能係統，如實時檢測光強的通信、照明芯片等，但目前相應研究處於發展階段。

大力發展Micro-LED是改善芯片光提取效率差、亮度低的有效方案。目前，對它的研究集中在器件物理領域，驗證了其在提升LED性能方麵的潛力，但性能仍與可見光Micro-LED有很大差距。後續應改善其製備工藝，兼顧成本和可靠性，以期實現它在商用領域的高水平應用。

原文：http://cjl.lightpublishing.cn/zh/article/doi/10.37188/CJL.20230099/